○ 產品介紹

PECVD石墨烯薄膜制備系統借助13.56MHz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內形成等離子體，利用等離子體的強化學活性，改善反應條件，使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD石墨烯薄膜制備系統設備可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種實驗場所。

○ 適用范圍

PECVD石墨烯薄膜制備系統設備可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種實驗場所。

○ 技術參數

多溫區加熱系統
序號	功能名稱	技術要求
01	工作溫度	室溫～1200℃,長期工作溫度≦1100℃
02	加熱區長度	三溫區加熱，各溫區可獨立控溫，恒溫區長度為550
03	控制模式	30段智能PID 多段程序控溫
04	控溫精度	±1℃
05	升溫速率	0～20℃/min
06	測溫元件	3支K型熱電偶
07	溫控保護	具有超溫和斷偶保護功能
08	爐管	高純石英管，能耐長期1100℃工作溫度
09	爐管尺寸	石英管外徑100mm
10	爐膛結構	開啟式
11	爐膛材料	進口纖維，保溫性能好，反射率高，溫場均勻
12	密封方式	真空不銹鋼水冷法蘭
13	閥門	KF25擋板閥
14	電源	380V/220V  50Hz
15	溫度記錄	可以實現溫度曲線記錄
16	爐殼溫度	≦45℃
單溫區加熱系統
序號	功能名稱	技術要求
01	工作溫度	室溫～1200℃,長期工作溫度≦1100℃
02	加熱區長度	單溫區加熱，恒溫區長度為200mm
03	控制模式	30段智能PID 多段程序控溫
04	控溫精度	±1℃
05	升溫速率	0～20℃/min
06	測溫元件	K型熱電偶
07	溫控保護	具有超溫和斷偶保護功能
08	爐管	高純石英管，能耐長期1100℃工作溫度
09	爐管尺寸	石英管外徑100mm
10	爐膛結構	開啟式
11	爐膛材料	進口纖維，保溫性能好，反射率高，溫場均勻
12	密封方式	真空不銹鋼水冷法蘭
13	閥門	KF25擋板閥
14	電源	380V/220V  50Hz
15	溫度記錄	可實現溫度曲線記錄
16	爐殼溫度	≦45℃
RF輸出系統
序號	功能名稱	技術要求
01	功率范圍	0～500W連續可調
02	工作頻率	13.56MHz+0.005％
03	工作模式	連續輸出
04	顯示模式	LCD
05	匹配阻抗范圍	能夠匹配，起輝輝光均勻布滿三溫區爐管
06	功率穩定度	≦2W
07	正常工作反射功率	≦3W
08	較大反射功率	≦70W
09	諧波分量	≦-50dBc
10	整機效率	≥70%
11	功率因素	≥90%
12	供電電壓/頻率	單相交流（187V～253V） 頻率50/60HZ
13	控制模式	內控/PLC 模擬量/RS232/485 通訊
14	電源保護設置	DC 過流保護，功放過溫保護，反射功率保護
15	冷卻方式	強制風冷
16	起輝長度	在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光需能布滿整個三溫區的爐體長度
氣體流量控制
序號	功能名稱	技術要求
01	四路質子流量計	北京七星華創，質子流量計
02	流量范圍	MFC1量程：0～200sccm  MFC2量程：0～200sccm  MFC3量程：0～500sccm  MFC4量程：0～500sccm  分別對應氣體 H2、CH4、N2、Ar
03	測量精度	±1.5％F.S.
04	重復精度	±0.2% FS
05	線性精度	±1％F.S.
06	響應時間	≤4sec
07	工作壓力	-0.15MPa～0.15MPa
08	流量控制	液晶觸摸屏控制，數字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制
09	進氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
10	出氣接口	可接1/4NPS或外徑6mm不銹鋼管
11	連接方式	雙卡套接頭
12	工作溫度	5～45℃
13	氣體預混	配氣體預混裝置
真空要求
序號	功能名稱	技術要求
01	真空泵	配置進口或國產真空泵，爐管背景真空達5×10-1 Pa
02	系統漏率	≤1.4×10-3 Pa.L/s
03	真空測量	Inficon防腐蝕超純陶瓷傳感器
04	真空測量范圍	0.01Pa～1000Pa，測量精度0.2％
05	真空壓力表	配置一個通用真空壓力表用于系統真空粗測
06	連接管道	不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭與真空泵連接
軌道功能
序號	功能名稱	技術要求
01	滑軌長度	2.5米～3米，能實現三溫區爐子一個爐位長度的滑動，實現快速升降溫
02	主要參數	手動滑動，可實現管式爐和等離子體發生器的滑動控制，達到快速降溫，射頻放射調節
03	特殊定制	軌道上安裝方便拆卸的法蘭支架，用以支撐爐管長度改變時的端口法蘭；單溫區爐子可以拆裝至滑軌上與等離子體源配合使用；等離子體發生器可以拆卸

○ 滑軌需要滿足的要求

（1）常用方式是：等離子體發生器+三溫區爐配合，其中導軌可以讓三溫區爐有一個爐位的滑動；

（2）希望的搭配使用方式1是：等離子體發生器+單溫區管式爐；

（3）希望的搭配使用方式2是：單溫區管式爐+等離子體發生器+三溫區爐（此時三溫區爐不需要滑動快速升降溫）

○ 免責聲明

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