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CVD氣相沉積基本概述
日期：2025-08-03 05:01
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摘要：
CVD氣相沉積基本概述
CVD(CVD氣相沉積)技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
CVD(CVD氣相沉積)技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
過去，對LPCVD(CVD氣相沉積)和APCVD*常使用的反應室是一個簡單的管式爐結構，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應用于沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎薄膜(氧氣中有硅元素存在將會*終形成為高質量的SiO2，但這會大量消耗硅元素；通過硅烷和氧氣反應也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進行)。
而且，*近，單片淀積工藝推動并導致產生了新的CVD反應室結構。這些新的結構中絕大多數(shù)都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應過程，也有一些系統(tǒng)外加一個按鈕，以控制淀積膜的質量。在PECVD和HDPCVD系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是通過調節(jié)能量，偏壓以及其它參數(shù)，可以同時有沉積和蝕刻反應的功能。通過調整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。