產品名稱

帶過渡艙型雙靶磁控濺射鍍膜儀

產品型號

CY-MSP325G-2T-DVC-2DC（double vacuum chamber）

安裝條件

1、使用環境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh；

2、設備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地；

3、額定功率：5000w；

4、設備用氣：設備腔室內需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%；

5、擺放場地尺寸要求 1200mm×1200mm×2000mm；

6、擺放位置要求通風散熱良好。

技術參數

1、 濺射電源：直流電源500W x2；*大輸出電壓600V，極限輸出電流1000mA

2、 磁控靶：2英寸平衡靶，配磁耦合擋板；

3、 磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚導電金屬靶材

4、 腔體尺寸：主腔體φ325mm x 410mm；過渡腔體150x150x150mm

5、 腔體功能：主腔體配有密封圈密封的側開門，帶擋板的石英觀察窗，及轉移樣品用的手動操作桿。過渡腔體配有密封圈密封的帶石英視窗的上蓋，運送樣品進主腔體的磁耦合推桿，獨立的真空系統。

6、 腔體材質： 不銹鋼304

7、 旋轉加熱樣品臺：轉速1~20rpm  連續可調；加熱溫度*高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。

8、 冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環水冷機；

9、 水冷機：水箱容積9L，流速10L/min

10、 供氣系統：質量流量計， 氣體類型Ar氣，流量1~200sccm（可定制）；

11、 流量計精度：±1.5%量程

12、 真空腔體抽氣接口為 CF160；

13、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭；

14、 顯示屏為14工控電腦一體機；

15、 可調節濺射電流，可設置濺射**電流值、**真空值；

16、 **保護：過流、真空過低自動切斷濺射電流；

17、 真空系統：主腔體配有CY-GZK103高真空分子泵組，分子泵抽速600L/s；過渡腔體配有小型分子泵組，分子泵抽速60L/s。兩組真空系統可獨立工作和控制，腔室之間及真空系統內的氣動閥均有程序控制，可實現一鍵動作，方便快捷。

18、 極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)；

19、 真空測量為復合真空計，其量程為：10^-5Pa～10⁵Pa

注意事項

1、 為了達到較高的無氧環境，至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。

2、 磁控濺射對進氣量比較敏感，需要使用質量流量計控制進氣量。

3、 設備不使用時應將腔體保持真空。

4、 長時間未抽真空，再次使用時應進行除氣操作，以提高真空性能。

可選配件

膜厚監測儀

1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁）

2、膜厚準確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置， 材料應力，溫度和密度

3、測量速度：100ms-1s/次，可設置測量范圍：500000?（鋁）

4、標準傳感器晶體：6MHz

5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35

其他配件

1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復合真空計，測量范圍10^-5Pa~10⁵Pa）；

CY-GZK60系列小型分子泵組（含復合真空計，測量范圍10^-5Pa~10²Pa）

VRD-4雙極旋片真空泵；

2、KF25/40真空波紋管；長度可選0.5m、1m、1.5m；KF25卡箍支架

3、膜厚儀晶振片；